R6524KNXC7G
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R6524KNXC7G |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $5.58 |
10+ | $5.015 |
100+ | $4.1093 |
500+ | $3.4982 |
1000+ | $2.9503 |
2000+ | $2.8028 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 750µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 74W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24A (Ta) |
Grundproduktnummer | R6524 |
650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
MOSFET N-CH 650V 24A TO3
MOSFET N-CH 650V 24A TO3
BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
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650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
MOSFET N-CH 650V 30A TO3
MOSFET N-CH 650V 24A TO3
MOSFET N-CH 650V 24A TO3
650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() R6524KNXC7GRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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